做过LED或者LD芯片的童鞋应该会了解到外延基板晶向问题。比如在激光芯片中，常使用（110）晶面作为解离面，解离面比较光滑，具有较高的反射率，因此即便是不镀减反膜和高反 膜芯片端面也有大概30%的反射率。
开始先提出两个问题：
1）一般砷化镓外延是在（100）晶面基板上生长起来的。芯片Die的解离面是（110），基板大定位边所在面是（0，-1，-1），小平边是次参考面（0，-1，1）。如下图根据基板，确定die解离划裂线方向，和die的六个面所处的晶面。
下图芯片的出光面是什么晶面？侧边是什么晶面？分别和上表面成多少度角？
2）晶面为什么要偏转15°？
回答以上问题，需要回顾一下，砷化镓的晶格结构，是属于固体物理的知识。
砷化镓晶格结构
上图是砷化镓的晶格结构
砷化镓晶格是由两个面心立方(fcc)的子晶格(格点上分别是砷和镓的两个子晶格)沿空间体对角线位移1/4套构而成。这种晶体结构在物理学上称之为闪锌矿结构。
温习一下晶格晶向的知识点
因此晶向[u v w]是一个射线，起点是原点，过uvw坐标的一个点连接而成。
如上图 （221）晶面垂直于【221】晶向
如上图是（100）晶面的砷化镓基板，第一幅是从正面俯视，如果要切割出{110}面的解离面，该如何下刀呢？
思考一下，下期再详写